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NXP Semiconductors
PESD5Zx series
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5
3.3
5.0
6.0
7.0
12.0
V
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
V RWM = 2.5 V
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5.0 V
V RWM = 6.0 V
V RWM = 7.0 V
V RWM = 12.0 V
-
-
-
-
-
-
0.5
8
5
2
<1
<1
6
50
50
10
10
10
μ A
nA
nA
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
C d
V CL
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
diode capacitance
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
clamping voltage
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
f = 1 MHz; V R = 0 V
I PP = 5 A
[1][2]
4
5
6.2
6.8
7.5
14.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
229
172
89
78
69
35
8
8
12
12
14
27
-
-
-
-
-
-
300
200
150
150
150
75
9
10
13
13
15
30
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
V
V
PESD5ZX_SER_2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 April 2008
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